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J-GLOBAL ID：201302220625803475   整理番号：13A1488391

SとSe含有雰囲気下での焼なましによるCu₂ZnSn(S_1-Se_x)₄薄膜の可変バンドギャップと改善した微細構造

Band gap tunable and improved microstructure characteristics of Cu₂ZnSn(S_1-x ,Se _x )₄ thin films by annealing under atmosphere containing S and Se

著者 (10件)： SHIN Seung Wook (Center for Nanomaterials and Chemical Reactions, Inst. for Basic Sci., Daejeon 305-701, KOR) ,  KIM In Young (Photonics Technol. Res. Inst., Dep. of Materials Sci. and Engineering, Chonnam National Univ., 300 Yongbong-Dong ...) ,  GURAV K.v. (Photonics Technol. Res. Inst., Dep. of Materials Sci. and Engineering, Chonnam National Univ., 300 Yongbong-Dong ...) ,  JEONG Chae Hwan (Solar City Center, Dev. of Advanced Components & Materials Korea Inst. of Industrial Technol., Gwangju 500-480, KOR) ,  YUN Jae Ho (Photovoltaic Res. Group, Korea Inst. of Energy Res., 71-2 Jang-Dong Yuseong-Gu, Daejeon 305-343, KOR) ,  PATIL P.s. (Photonics Technol. Res. Inst., Dep. of Materials Sci. and Engineering, Chonnam National Univ., 300 Yongbong-Dong ...) ,  PATIL P.s. (Thin Film Materials Lab., Dep. of Physics, Shivaji Univ., Kolhapur 416004, IND) ,  LEE Jeong Yong (Center for Nanomaterials and Chemical Reactions, Inst. for Basic Sci., Daejeon 305-701, KOR) ,  LEE Jeong Yong (Dep. of Materials Sci. and Engineering, KAIST, Daehak-ro Yuseong-gu, Daejeon 305-701, KOR) ,  KIM Jin Hyeok (Photonics Technol. Res. Inst., Dep. of Materials Sci. and Engineering, Chonnam National Univ., 300 Yongbong-Dong ...)
資料名： Current Applied Physics  (Current Applied Physics)
巻： 13  号： 8  ページ： 1837-1843  発行年： 2013年10月 
JST資料番号： W1579A  ISSN： 1567-1739  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu₂ZnSn(S_1-Se_x)₄(CZTSSe)薄膜を,スパッタリングによりMo被覆ガラス基板上で積層前駆体の焼なましにより作った。積層前駆体薄膜はCu,SnSとZnSターゲットから室温で作ったが,その積層順はCu/SnS/ZnSである。円筒形2ゾーン炉を用いて混合気N₂(95%)+H₂S(5%)とSe蒸気中で580°C 2h焼なました。Seの蒸発温度を250°Cから500°Cまで変えたことによるCZTSSe薄膜の構造,形態,化学的および光学的性質効果への効果を調べた。X線回折,Raman分光とX線光電子分光の結果からは,焼なまし薄膜は単一黄錫亜鉛鉱型構造を持ち,第二相は無かった。焼なまし薄膜の(112)面からの2θピークの角度位置は,Se蒸発温度が下がると減少した。エネルギー分散X線分光の結果は,焼なまし薄膜中のSeの存在比は,Seの蒸発温度が上がると0at%から42.7at%まで増した。紫外可視スペクトルの結果は,焼なまし薄膜の吸収係数は全て10⁴cm^-1以上で,Seの蒸発温度が上がると光学バンドギャップが1.5から1.05eVに減少した。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *銅化合物 ,  *亜鉛化合物 ,  *スズ化合物 ,  *硫化物 ,  *セレン化物 ,  *バンドギャップ ,  *微細構造 ,  *焼なまし ,  スパッタリング ,  前駆体 ,  層 ,  *窒素 ,  *硫化水素 ,  蒸発 ,  温度依存性 ,  X線回折 ,  Raman分光法 ,  X線光電子分光法 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  *セレン ,  吸収スペクトル ,  化合物半導体 ,  混合気体 ,  *硫黄 ,  太陽電池 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： 積層 ,  薄膜太陽電池

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (7件)： Se ,  雰囲気 ,  焼なまし ,  薄膜 ,  可変 ,  バンドギャップ ,  微細構造