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J-GLOBAL ID：201302220722278857   整理番号：13A0250306

パルス電着硫化スズ膜の構造特性,光学特性および電気特性に及ぼすアニーリングの影響

Effect of annealing on structural, optical and electrical properties of pulse electrodeposited tin sulfide films

著者 (3件)： MATHEWS N.r. (Centro de Investigacion en Energia, Universidad Nacional Autonoma de Mexico, Temixco, Morelos 62580, MEX) ,  COLIN GARCIA C. (Centro de Investigacion en Energia, Universidad Nacional Autonoma de Mexico, Temixco, Morelos 62580, MEX) ,  TORRES Ildefonso Z. (Centro de Investigacion en Energia, Universidad Nacional Autonoma de Mexico, Temixco, Morelos 62580, MEX)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 16  号： 1  ページ： 29-37  発行年： 2013年02月 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： パルス電着により導電性ガラス基板上に多結晶硫化スズ(SnS)薄膜を成長させた。SnSに対する蒸着後の処理の影響を理解するため,物理的特性(構造,形態,光学的特性,光電子特性など)に及ぼすアニーリングの影響を評価した。250°C以上の温度でのアニーリングでは第2相としてSnS₂が形成されたが,350°Cでのアニーリング後の薄膜に対しては重要な結晶粒成長や形態変化が観測されなかった。350°Cでアニーリングした薄膜に対して観測された0.1eVのバンドギャップの僅かな変化は,形態変化よりもむしろSnS₂の形成によるものと解釈した。この解釈は,X線回折,走査電子顕微鏡法およびRamanスペクトルデータで支持された。この薄膜の電気伝導を0.1,0.05および0.03eVの活性化エネルギーの三つの浅いトラップレベルで制御する。0.03eVの活性化エネルギーのトラップは高温アニーリング後に消失したが,他の二つのトラップはアニーリングの影響を受けなかった。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： スズ化合物 ,  硫化物 ,  電着 ,  電気めっき ,  *薄膜成長 ,  Raman分光法 ,  *Ramanスペクトル ,  光学的性質 ,  電気特性 ,  アニーリング【現象】 ,  構造解析 ,  微細構造 ,  顕微鏡観察 ,  *相組成
準シソーラス用語： パルス電着 ,  光学的特性 ,  硫化スズ

分類 (1件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (6件)： パルス電着 ,  硫化スズ ,  構造特性 ,  光学特性 ,  電気特性 ,  アニーリング