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J-GLOBAL ID：201302221512052887   整理番号：13A1167308

原子層蒸着により作製したZrO₂/GaAs MOSキャパシタの電気特性

Electrical characteristics of ZrO₂/GaAs MOS capacitor fabricated by atomic layer deposition

著者 (5件)： KONDA R. B. (Center for Materials Res., Norfolk State Univ., Norfolk, Virginia 23504) ,  WHITE C. (Center for Materials Res., Norfolk State Univ., Norfolk, Virginia 23504) ,  THOMAS D. (Center for Materials Res., Norfolk State Univ., Norfolk, Virginia 23504) ,  YANG Q. (Center for Materials Res., Norfolk State Univ., Norfolk, Virginia 23504) ,  PRADHAN A. K. (Center for Materials Res., Norfolk State Univ., Norfolk, Virginia 23504)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 31  号： 4  ページ： 041505-041505-6  発行年： 2013年07月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子層蒸着を使って,酸化ジルコニウム(ZrO₂)により,GaAs系金属酸化物半導体キャパシタを作製した。GaAs上のZrO₂誘電体に対する成長温度の効果を調べた。ZrO₂層は,200-275°Cの温度領域で,テトラキスジメチルアミドジルコニウムと水を使って蒸着した。蒸着したままの試料はゲート誘電体バルク中と誘電体/半導体(ZrO₂/GaAs)界面ににかなりの量が固定電荷があり,そのため平坦バンドシフトと周波数分散が生じる。窒素(N₂)中のポストアニーリングによって,平坦バンドシフト,周波数分散,及び容量-電圧(C-V)延伸が減少した。また,作製したキャパシタの逆特性も成長温度とアニーリングに関して改善された。ゲート誘電体スタックは,改善されたC-V特性を通して定性的に説明し,減少した界面トラップ密度(D_it)によって定量的に確かめられた。N₂アニーリング効果は電気特性とD_itの測定を通して詳細に調べた。著者らは,高い漏れ電流は犠牲にするが,アニーリングによりC-V特性の改善とD_itの低下の間にはトレードオフが存在することが分った。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 化学蒸着 ,  *酸化ジルコニウム ,  *ヒ化ガリウム ,  薄膜コンデンサ ,  基板温度 ,  ジルコニウム錯体 ,  水 ,  電荷 ,  熱処理 ,  *容量電圧特性 ,  *捕獲中心 ,  *漏れ電流 ,  X線光電子スペクトル ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： *原子層蒸着 ,  *MOSコンデンサ ,  固定電荷

分類 (2件)： LCR部品  (NA05030D) ,  半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 原子層蒸着 ,  作製 ,  ZrO2 ,  GaAs ,  MOSキャパシタ ,  電気特性