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J-GLOBAL ID：201302221860143918   整理番号：13A0245968

InGaN/GaN量子井戸構造の高励起キャリア密度再結合ダイナミクス:効率低下の可能な関連性

High excitation carrier density recombination dynamics of InGaN/GaN quantum well structures: Possible relevance to efficiency droop

著者 (6件)： DAVIES M. J. (School of Physics and Astronomy, Photon Sci. Inst., Alan Turing Building, Univ. of Manchester, Manchester M13 9PL, GBR) ,  BADCOCK T. J. (School of Physics and Astronomy, Photon Sci. Inst., Alan Turing Building, Univ. of Manchester, Manchester M13 9PL, GBR) ,  DAWSON P. (School of Physics and Astronomy, Photon Sci. Inst., Alan Turing Building, Univ. of Manchester, Manchester M13 9PL, GBR) ,  KAPPERS M. J. (Dep. of Materials Sci. and Metallurgy, Univ. of Cambridge, Pembroke Street, Cambridge CB2 3QZ, GBR) ,  OLIVER R. A. (Dep. of Materials Sci. and Metallurgy, Univ. of Cambridge, Pembroke Street, Cambridge CB2 3QZ, GBR) ,  HUMPHREYS C. J. (Dep. of Materials Sci. and Metallurgy, Univ. of Cambridge, Pembroke Street, Cambridge CB2 3QZ, GBR)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 102  号： 2  ページ： 022106-022106-3  発行年： 2013年01月14日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  *窒化ガリウム ,  化合物半導体 ,  ヘテロ接合 ,  *量子井戸 ,  励起エネルギー ,  キャリア密度 ,  キャリア再結合 ,  *光ルミネセンス ,  発光スペクトル ,  エネルギー密度 ,  曲線
準シソーラス用語： パワー密度 ,  減衰曲線 ,  *窒化ガリウムインジウム ,  励起強度

分類 (2件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (8件)： InGaN ,  GaN ,  量子井戸 ,  キャリア密度 ,  再結合 ,  ダイナミクス ,  効率低下 ,  関連性