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J-GLOBAL ID：201302221915763899   整理番号：13A0137876

擬似ホール効果を利用したMOSFET型応力検出素子の特性評価

An Analysis and Evaluation of MOSFET Strain Sensor Using Pseudo-Hall Effect

著者 (4件)： 梅津哲也 (山形大 工) ,  原田知親 (山形大 工) ,  奥山澄雄 (山形大 工) ,  松下浩一 (山形大 工)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 112  号： 365(ICD2012 86-122)  ページ： 11-16  発行年： 2012年12月10日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 現在の集積回路では,Siチップを保護するためにパッケージングが施されるが,それによってチップ内に応力が発生する場合がある。それによって生じる故障や回路特性の変化が問題となるため,パッケージ内部のチップに印加される応力の評価が必要となる。しかし,現存する応力検出素子では,回路とは別の領域に集積化する必要があり,集積化面積が増える。そこで,擬似ホール効果を利用したMOSFET型応力検出素子を用いることで,回路と一体化して集積回路への組み込みが可能となるため,集積化面積を増やさずに計測できる。本研究では,擬似ホール効果を応力検出原理としたMOSFET型応力検出素子の応力検出動作の検討と,素子の測定評価をおこなった。(著者抄録)

シソーラス用語： *Hall素子 ,  *MOSFET ,  *応力測定 ,  キャラクタリゼーション ,  集積回路 ,  ICパッケージ ,  システム ,  組込みシステム
準シソーラス用語： Hall効果素子 ,  応力計測 ,  特性評価

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： 擬似 ,  ホール効果 ,  MOSFET ,  応力 ,  検出素子 ,  特性評価