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J-GLOBAL ID：201302222448745462   整理番号：13A0015155

MOSゲートパワーデバイスにおける負性ゲートキャパシタンスの研究

Investigation of Negative Gate Capacitance in MOS-Gated Power Devices

著者 (3件)： LONG Hong Yao (Univ. Sheffield, Sheffield, GBR) ,  SWEET Mark R. (Univ. Sheffield, Sheffield, GBR) ,  NARAYANAN Ekkanath Madathil S (Univ. Sheffield, Sheffield, GBR)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 59  号： 12  ページ： 3464-3469  発行年： 2012年12月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)は最も一般的なMOSゲートデバイスの一つであり,電流制御性が高く安全動作領域が広いという利点を持つ。しかし,IGBTはゲート電圧とアノード電流が発振する時短絡条件時に不安定となり,過剰なEMIを発生してとゲート制御性を失う。実験とシミュレーションで,オン状態時におけるMOSゲートパワーデバイスのゲートキャパシタンスを解析した。タ-ンオン過渡時に負性ゲートキャパシタンスが見られ,短絡条件で強い発振を起こす。負性キャパシタンスの物理的発生理由を説明し,そのメカニズムを説明する単純化した小信号モデルを示した。アノード/ドレイン電流の一部が高周波におけるゲートインピーダンス減少のためにゲートに流れることが原因である。発振の不安定性は過剰な電力消費と故障原因にもなるが,デバイス構造,ゲート駆動回路,保護機能の最適化で避けることができる。

シソーラス用語： *IGBT ,  電力トランジスタ ,  MOSFET ,  電気測定 ,  電磁干渉 ,  モデル ,  容量電圧特性 ,  *ゲート【半導体】
準シソーラス用語： EMI【電磁干渉】 ,  *キャパシタンス測定 ,  小信号モデル ,  電力MOSFET

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： MOS ,  ゲート ,  パワーデバイス ,  キャパシタンス ,  研究