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J-GLOBAL ID：201302224285006104   整理番号：13A0852867

新しいRu-CVD/ALD原料を利用した次世代DRAMキャパシタ用電極形成プロセスの開発

Process development for next generation DRAM electrode using a new Ru-CVD/ALD precursor

著者 (3件)： KIM Taewoong (Univ. of Tokyo) ,  MOMOSE Takeshi (Univ. of Tokyo) ,  SHIMOGAKI Yukihiro (Univ. of Tokyo)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 60th  ページ： ROMBUNNO.30P-G6-1  発行年： 2013年03月11日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2436-7613  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *ルテニウム ,  *DRAM ,  コンデンサ ,  酸化ルテニウム ,  *電極 ,  反射スペクトル ,  化学蒸着
準シソーラス用語： CVD【化学蒸着】 ,  ALD【蒸着】

分類 (2件)： その他の電気・電子部品  (NA05090R) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (9件)： Ru ,  CVD ,  ALD ,  原料 ,  次世代 ,  DRAM ,  キャパシタ ,  形成プロセス ,  開発