ALBERT S. について
ISOM and Dept. Ingenieria Electronica, ETSI Telecomunicacion, Universidad Politecnica de Madrid, Ciudad ... について
BENGOECHEA-ENCABO A. について
ISOM and Dept. Ingenieria Electronica, ETSI Telecomunicacion, Universidad Politecnica de Madrid, Ciudad ... について
SANCHEZ-GARCIA M. A. について
ISOM and Dept. Ingenieria Electronica, ETSI Telecomunicacion, Universidad Politecnica de Madrid, Ciudad ... について
CALLEJA E. について
ISOM and Dept. Ingenieria Electronica, ETSI Telecomunicacion, Universidad Politecnica de Madrid, Ciudad ... について
JAHN U. について
Paul-Drude-Institut fuer Festkoeperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, 10117 Berlin, DEU について
Journal of Applied Physics について
インジウム化合物 について
ガリウム化合物 について
窒化物 について
発光ダイオード について
ナノ構造 について
柱状晶 について
選択成長 について
白色光 について
蛍光体 について
MBE成長 について
インジウム について
取込 について
ガリウム について
比率 について
発光 について
波長 について
波形 について
可視光 について
傾斜機能材料 について
活性部位 について
化合物半導体 について
黄色光 について
ナノコラム について
プラズマ支援MBE成長 について
蛍光体フリー について
原子比 について
組成傾斜 について
窒化インジウムガリウム について
白色発光ダイオード について
領域選択成長 について
発光素子 について
半導体のルミネセンス について
半導体の結晶成長 について
蛍光体 について
白色光 について
InGaN について
ナノコラム について
領域成長 について
評価 について