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J-GLOBAL ID：201302225952780529   整理番号：13A1002454

エピタキシャルPb(Zr_0.2Ti_0.8)O₃薄膜のSchottkyダイオード的挙動の界面電極制御 臨界解析

Electrode interface control of the Schottky diode-like behavior in epitaxial Pb(Zr_0.2Ti_0.8)O₃ thin films: A critical analysis

著者 (6件)： HRIB L. M. (National Inst. of Materials Physics, Atomistilor 105 bis, Magurele 077125, ROM) ,  BONI A. G. (National Inst. of Materials Physics, Atomistilor 105 bis, Magurele 077125, ROM) ,  CHIRILA C. (National Inst. of Materials Physics, Atomistilor 105 bis, Magurele 077125, ROM) ,  PASUK I. (National Inst. of Materials Physics, Atomistilor 105 bis, Magurele 077125, ROM) ,  PINTILIE I. (National Inst. of Materials Physics, Atomistilor 105 bis, Magurele 077125, ROM) ,  PINTILIE L. (National Inst. of Materials Physics, Atomistilor 105 bis, Magurele 077125, ROM)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 113  号： 21  ページ： 214108-214108-10  発行年： 2013年06月07日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *誘電体薄膜 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  *界面 ,  *電極 ,  金属 ,  強誘電体 ,  構造 ,  レーザ蒸着 ,  チタン酸ストロンチウム ,  基板 ,  白金 ,  銅 ,  ストロンチウム化合物 ,  ルテニウム化合物 ,  電流電圧特性 ,  漏れ電流 ,  バイアス ,  分極 ,  分極反転 ,  バンド構造 ,  透過型電子顕微鏡 ,  高分解能電子顕微鏡 ,  ヒステリシス ,  電圧依存性 ,  モデリング ,  静電容量 ,  *ジルコニウム酸チタン酸鉛 ,  バッファ層 ,  酸素酸塩 ,  パルスレーザ蒸着
準シソーラス用語： HRTEM ,  PZT【鉛化合物】 ,  *エピタキシャル膜 ,  キャパシタンス ,  バイアス依存性 ,  パルスレーザ堆積 ,  バンド曲がり ,  ルテニウム酸ストロンチウム ,  三層構造 ,  分極スイッチング ,  分極ヒステリシス

分類 (3件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (9件)： エピタキシャル ,  Pb ,  O3 ,  薄膜 ,  Schottkyダイオード ,  挙動 ,  界面 ,  臨界 ,  解析