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J-GLOBAL ID:201302226063885447   整理番号:13A1138400

導電性高分子をドープした還元酸化グラフェンとn型Siに基づくダイオードの光電子的性質に及ぼす還元温度の影響

Effects of reduction temperature on the optoelectronic properties of diodes based on n-type Si and reduced graphene oxide doped with a conductive polymer
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資料名:
巻: 28  号:ページ: 065008,1-5  発行年: 2013年05月 
JST資料番号: E0503B  ISSN: 0268-1242  CODEN: SSTEET  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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