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J-GLOBAL ID：201302226169173748   整理番号：13A0794580

Nernst限界(59mV/pH)を超える:自律型応用向きのCMOS利用pHセンサ

Exceeding Nernst Limit (59mV/pH): CMOS-Based pH Sensor for Autonomous Applications

著者 (4件)： PARIZI Kokab B. (Stanford Univ., CA, USA) ,  YEH Alexander J. (Stanford Univ., CA, USA) ,  POON Ada S. Y. (Stanford Univ., CA, USA) ,  WONG H. S. Philip (Stanford Univ., CA, USA)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2012  ページ： 557-560  発行年： 2012年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 59mV/pHのNernst限界を超えて130mV/pHの高い感度を有する新型センサを設計した。n型とp型の1対のイオン感応電界効果トランジスタ(ISFET)の整合動作を利用して,測定対象溶液からと参照電極から,コモンモード雑音を消去できる。この差動計測方法を利用して,Ag/AgCl電極を使用せずに高精度にpH測定が可能なことを実証した。高いpH感度と雑音除去率,そして参照電極無用のこのセンサは,自律センサ用途に完成した代替品になると期待される。

シソーラス用語： 自律系 ,  *pHセンサ ,  *pH測定 ,  雑音除去 ,  高感度 ,  イオンセンサ ,  *ISFET ,  素子構造 ,  応答 ,  電極電位
準シソーラス用語： Nernst応答

分類 (3件)： 分析機器  (CC02020S) ,  その他の固体デバイス  (NC03150A) ,  酸塩基平衡  (CB04020D)

タイトルに関連する用語 (6件)： 限界 ,  pH ,  自律 ,  応用 ,  CMOS ,  pHセンサ