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J-GLOBAL ID：201302226312307033   整理番号：13A0811091

アルミニウム注入による高k金属ゲートPMOS FinFET閾値電圧の調整

High-k metal-gate PMOS FinFET threshold voltage tuning with aluminum implantation

著者 (11件)： RAO K. V. (Applied Materials - Varian Semiconductor Equipment, MA, USA) ,  NGAI T. (Sematech, NY, USA) ,  HOBBS C. (Sematech, NY, USA) ,  RODGERS M. (SUNY, NY, USA) ,  VIVEKANAND S. (SUNY, NY, USA) ,  CHAVVA V. (Applied Materials - Varian Semiconductor Equipment, MA, USA) ,  KHAJA F. (Applied Materials - Varian Semiconductor Equipment, MA, USA) ,  HENRY T. (Applied Materials - Varian Semiconductor Equipment, MA, USA) ,  SHIM K. H. (Applied Materials - Varian Semiconductor Equipment, MA, USA) ,  KIRSCH P. (Sematech, NY, USA) ,  JAMMY R. (Sematech, NY, USA)
資料名： AIP Conference Proceedings  (AIP Conference Proceedings)
巻： 1496  ページ： 38-41  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0071C  ISSN： 0094-243X  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (6件)： アルミニウム ,  注入 ,  金属ゲート ,  PMOS ,  FinFET ,  閾値電圧