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J-GLOBAL ID：201302226774783159   整理番号：13A1395804

NドープSiC準整列ナノ配列の成長と電界放出特性

Growth of flexible N-doped SiC quasialigned nanoarrays and their field emission properties

著者 (9件)： CHEN Shanliang (China Univ. Mining and Technol., Xuzhou City, CHN) ,  CHEN Shanliang (Ningbo Univ. Technol., Ningbo City, CHN) ,  YING Pengzhan (China Univ. Mining and Technol., Xuzhou City, CHN) ,  WANG Lin (Ningbo Univ. Technol., Ningbo City, CHN) ,  WEI Guodong (Ningbo Univ. Technol., Ningbo City, CHN) ,  ZHENG Jinju (Ningbo Univ. Technol., Ningbo City, CHN) ,  GAO Fengmei (Ningbo Univ. Technol., Ningbo City, CHN) ,  SU Shubing (Ningbo Univ. Technol., Ningbo City, CHN) ,  YANG Weiyou (Ningbo Univ. Technol., Ningbo City, CHN)
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 1  号： 31  ページ： 4779-4784  発行年： 2013年08月21日 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiCナノ構造は優れた電界放出体と考えられている。ドーピングはSiC低次元ナノ構造の電界放出特性を向上させる効率的方法である。本研究では,高分子前駆体の熱分解により,炭素構造基板上にNドープSiCナノワイヤを合成した。ナノワイヤは1.9~2.84Vμm^-1の非常に低いターンオン電場と2.53~3.51Vμm^-1のターンオン電場閾値を示した。このナノワイヤは電界放出ディスプレイへの応用に有望である。

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  半導体材料 ,  電界放出 ,  *電界放出アレイ ,  フラットパネルディスプレイ ,  ナノワイヤ ,  *電場 ,  熱分解 ,  ドーピング
準シソーラス用語： *ターンオン電場 ,  電界放出ディスプレイ

分類 (1件)： 熱電子放出,電界放出  (BM09020S)

タイトルに関連する用語 (5件)： ドープ ,  SiC ,  整列 ,  成長 ,  電界放出