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J-GLOBAL ID：201302226888341962   整理番号：13A1086418

フェニルアセチレンをかぶせたシリコンナノパーティクルの熱電特性の計測と熱電材料製造におけるそれらの潜在能力

Measurement of Thermoelectric Properties of Phenylacetylene-Capped Silicon Nanoparticles and Their Potential in Fabrication of Thermoelectric Materials

著者 (4件)： ASHBY Shane P. (Univ. of East Anglia, Energy Materials Lab., School of Chemistry, NR4 7TJ, Norwich, GBR) ,  GARCIA-CANADAS Jorge (Cardiff Univ., Cardiff School of Engineering, CF24 3AA, Cardiff, GBR) ,  MIN Gao (Cardiff Univ., Cardiff School of Engineering, CF24 3AA, Cardiff, GBR) ,  CHAO Yimin (Univ. of East Anglia, Energy Materials Lab., School of Chemistry, NR4 7TJ, Norwich, GBR)
資料名： Journal of Electronic Materials  (Journal of Electronic Materials)
巻： 42  号： 7  ページ： 1495-1498  発行年： 2013年07月 
JST資料番号： D0277B  ISSN： 0361-5235  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコンは熱電材料を製造するには非常に魅力的な素材である。シリコンナノ(SiNW)ワイヤのようなナノ構造のシリコン素材は,効率的なフォノン散乱が原因で低い熱伝導度を示すがバルクシリコンと同じ電気伝導度を示し,非常に潜在的な可能性を示した。シリコンナノパーティクル(SiNP)は合成容易で,多くの表面欠陥を示し,このことは一層効率的なフォノン散乱を実現できることを示唆するが,これらの素材は高温(1100°C)でプレスしない限り,材質内の欠陥による低い電導度を示した。共役キャッピング層は,この処理を必要とせずに高い電導度を与えて,これらの欠陥をブリッジする能力を示した。フェニルアセチレンをかぶせたSiNPをミセル低減手法を使って合成し,ペレットにプレスした。電導度,Seebeck係数及び熱伝導度の計測をした。結果は,これらの粒子群から作った素材が,相対的に高いSeebeck係数(3228.84μVK^-1)を示し,これは性能指数(ZT)に良い影響を与えるであろう。相当な電気伝導度(18.1Sm^-1)と低い熱伝導度(0.1Wm^-1K^-1)は,SiNPから製造されたバルク素材中のナノパーティクル間の架橋手段として,共役分子を使用できる可能性を確認した。これらの結果は0.57の性能指数を呈し,これは一層良く立証した熱電材料と比肩できる。Copyright 2012 TMS Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ナノ粒子 ,  *電気特性 ,  ナノワイヤ ,  ナノ構造 ,  散乱 ,  輸送係数 ,  *熱伝導率 ,  芳香族炭化水素 ,  アセチレン化合物
準シソーラス用語： Seebeck係数 ,  *シリコンナノパーティクル ,  シリコンナノワイヤ ,  フォノン散乱 ,  熱伝導度 ,  *熱電特性

分類 (1件)： 熱電デバイス  (NC03090J)

物質索引 (1件)： フェニルアセチレン

タイトルに関連する用語 (6件)： フェニルアセチレン ,  シリコンナノパーティクル ,  熱電特性 ,  計測 ,  熱電材料 ,  潜在能力