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J-GLOBAL ID：201302227242530690   整理番号：13A0079912

異方性g因子を有するp-Si/SiGe/Siへテロ構造における傾斜磁場での磁気抵抗率 パートII

MAGNETORESISTIVITY IN A TILTED MAGNETIC FIELD IN p-Si/SiGe/Si HETEROSTRUCTURES WITH AN ANISOTROPIC g-FACTOR. PART II

著者 (5件)： DRICHKO I. L. (Ioffe Physical-Technical Inst., Russian Acad. of Sci., St. Petersburg, RUS) ,  SMIRNOV I. Yu. (Ioffe Physical-Technical Inst., Russian Acad. of Sci., St. Petersburg, RUS) ,  SUSLOV A. V. (National High Magnetic Field Lab., FL, USA) ,  MIRONOV O. A. (Univ. of Warwick Sci. Park, Coventry, GBR) ,  LEADLEY D. R. (Univ. of Warwick, Coventry, GBR)
資料名： Zhurnal Ehksperimental’noj i Teoreticheskoj Fiziki  (Zhurnal Ehksperimental'noj i Teoreticheskoj Fiziki)
巻： 142  号： 3  ページ： 542-546  発行年： 2012年09月 
JST資料番号： R0135A  ISSN： 0044-4510  CODEN： ZETFA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： ロシア (RUS)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (9件)： 異方性 ,  g因子 ,  SiGe ,  Si ,  テロ ,  傾斜磁場 ,  磁気 ,  抵抗率 ,  パート