文献

J-GLOBAL ID：201302227690175125   整理番号：13A1554869

バンドギャップを調製できるスピネル型窒化物化合物Si₃N₄,Ge₃N₄とSn₃N₄の電子構造:発光ダイオードへの応用

Electronic Structure of Spinel-Type Nitride Compounds Si₃N₄, Ge₃N₄, and Sn₃N₄ with Tunable Band Gaps: Application to Light Emitting Diodes

著者 (4件)： BOYKO T.D. (Univ. Saskatchewan, Saskatchewan, CAN) ,  HUNT A. (Univ. Saskatchewan, Saskatchewan, CAN) ,  ZERR A. (Univ. Paris-Nord, Villetaneuse, FRA) ,  MOEWES A. (Univ. Saskatchewan, Saskatchewan, CAN)
資料名： Physical Review Letters  (Physical Review Letters)
巻： 111  号： 9  ページ： 097402.1-097402.5  発行年： 2013年08月30日 
JST資料番号： H0070A  ISSN： 0031-9007  CODEN： PRLTAO  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *発光ダイオード ,  電子構造 ,  *バンドギャップ ,  窒化ケイ素 ,  ゲルマニウム化合物 ,  *窒化物 ,  スズ化合物 ,  スピネル型結晶 ,  *固溶体 ,  計算機シミュレーション ,  *化合物半導体 ,  XANES ,  X線スペクトル ,  発光スペクトル
準シソーラス用語： 窒化ゲルマニウム ,  X線発光スペクトル

分類 (2件)： 半導体結晶の電子構造  (BM02060N) ,  発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (8件)： バンドギャップ ,  調製 ,  スピネル ,  窒化物 ,  Si3N4 ,  電子構造 ,  発光ダイオード ,  応用