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J-GLOBAL ID：201302227695413440   整理番号：13A0811122

走査広がり抵抗顕微鏡法を用いたスパイクランプとレーザーアニーリング過程を組み合わせてアニールした超浅接合の活性ドーパントプロファイリング

Active dopant profiling of ultra shallow junction annealed with combination of spike lamp and laser annealing processes using scanning spreading resistance microscopy

著者 (7件)： ABO Satoshi (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  USHIGOME Naoya (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  OSAE Hidenori (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  WAKAYA Fujio (Osaka Univ., Osaka, JPN) ,  IWAMATSU Toshiaki (Renesas Electronics Corp., Ibaraki, JPN) ,  ODA Hidekazu (Renesas Electronics Corp., Ibaraki, JPN) ,  TAKAI Mikio (Osaka Univ., Osaka, JPN)
資料名： AIP Conference Proceedings  (AIP Conference Proceedings)
巻： 1496  ページ： 164-166  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0071C  ISSN： 0094-243X  資料種別： 会議録 (C)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (10件)： 走査 ,  広がり抵抗 ,  顕微鏡法 ,  スパイク ,  ランプ ,  レーザーアニーリング ,  過程 ,  アニール ,  浅接合 ,  活性