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J-GLOBAL ID：201302227980875872   整理番号：13A1934333

SiC MOSFETの高温ゲートバイアスと逆バイアス試験

High temperature gate-bias and reverse-bias tests on SiC MOSFETs

著者 (2件)： YANG L. ,  CASTELLAZZI A.
資料名： Microelectronics Reliability  (Microelectronics Reliability)
巻： 53  号： 9-11  ページ： 1771-1773  発行年： 2013年09月 
JST資料番号： C0530A  ISSN： 0026-2714  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiC MOSFETの製造技術が成熟し続けるにつれて,安定性と信頼性の評価は,SiC MOSFETに基づくデバイスの高度な開発のための必須となる。高温ゲートバイアス(HTGB)と高温逆バイアス(HTRB)試験は,個別半導体デバイスにおいて一般的に用いられる認定試験である。ここでは,ゲート酸化膜完全性を評価し,接合終端ロバスト性を証明するために,この二つを行う。ゲートバイアスストレス誘起閾値電圧の不安定性と高温でのドレイン-ソース逆バイアスストレスから生じる電流の劣化を調査し報告する。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *MOSFET ,  *高温試験 ,  ゲート【半導体】 ,  バイアス ,  安定性 ,  信頼性 ,  ロバスト性 ,  閾値
準シソーラス用語： SiC

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： SiC ,  MOSFET ,  ゲートバイアス ,  逆バイアス ,  試験