スクリーン印刷りん拡散過程を利用して形成されるn+エミッタ接合の構造と電気特性へのO<sub>2</sub>アニーリング環境の流速の影響

KIM Jin-Sung; YUN Hyung-Joong; SEO Min-Woo; JANARDHANAM V.; AHN Kwang-Soon; CHOI Chel-Jong

文献

J-GLOBAL ID：201302228280229496 整理番号：13A0004620

スクリーン印刷りん拡散過程を利用して形成されるn+エミッタ接合の構造と電気特性へのO₂アニーリング環境の流速の影響

Effects of the flow rate of O₂ annealing ambient on structural and electrical properties of n+ emitter junctions formed using screen-printed phosphorus diffusion process

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資料名：
巻： 44 号： 11/12 ページ： 1440-1443 発行年： 2012年11月
JST資料番号： E0709A ISSN： 0142-2421 CODEN： SIANDQ 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：イギリス (GBR) 言語：英語 (EN)

本研究で筆者らは,n+エミッタをスクリーン印刷りん(P)拡散の1L/分と5L/分の異なる流速のO₂環境下での利用によって作成し,その構造と電気特性へのO₂の流速の影響を調べた。評価は,接合でのPの分布を2次イオン質量分析によって調べて行った。試料の微視的構造と元素分布は透過型原子顕微鏡(TEM)とエネルギー分散X線分光計を備えた走査型透過顕微鏡によって特性化した。電流-電圧測定は,半導体パラメータ・アナライザによって行った。シート抵抗は,4点プローブ法によって測定した。Si基板上にりんけい酸塩ガラスPSG膜が,熱アニーリングによって駆動されるP-ペーストとSiの間の相互作用によって形成された。表面張力の差異のために多くのP原子が,PSG膜の表面と界面領域に分離した。O₂の流速の増大は,厚いPSG層からの多くのP原子の放出に起因して,n+/pエミッタ接合中のP原子の最大濃度の増加をもたらし,これがSi基板中の取り込みとより低いシート抵抗を与えた。

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固体デバイス製造技術一般

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スクリーン印刷りん拡散過程を利用して形成されるn+エミッタ接合の構造と電気特性へのO2アニーリング環境の流速の影響

スクリーン印刷りん拡散過程を利用して形成されるn+エミッタ接合の構造と電気特性へのO₂アニーリング環境の流速の影響