文献

J-GLOBAL ID：201302228632219500   整理番号：13A0293113

過渡的電子ビーム誘起電流を使用した多結晶シリコンにおける少数キャリア寿命分布のマッピング

Mapping of minority carrier lifetime distributions in multicrystalline silicon using transient electron-beam-induced current

著者 (5件)： KUSHIDA Takuya (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TANAKA Shigeyasu (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  MORITA Chiaki (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  TANJI Takayoshi (Nagoya Univ., Nagoya, JPN) ,  OHSHITA Yoshio (Toyota Technological Inst., Nagoya, JPN)
資料名： Journal of Electron Microscopy  (Journal of Electron Microscopy)
巻： 61  号： 5  ページ： 293-298  発行年： 2012年10月 
JST資料番号： W1384A  ISSN： 0022-0744  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： コストの安い多結晶シリコンは,太陽電池の材料として良く使われている。その品質は,太陽電池の変換効率に最も重要な材料パラメータである少数キャリア寿命分布のマッピングにより評価される。標準的な電子ビーム誘起電流(EBIC)法はその便利な評価手法であるが,定量的寿命情報を与えることができない。本稿では,多結晶シリコンにおける少数キャリア寿命のマッピングに過渡的EBICを使用した。サンプル走査の間,走査透過電子顕微鏡からの電子ビームをオンオフ変調し,過渡的EBICを解析して寿命マッピングを作成した。数値シミュレーションを使用して,このアプローチの検証を行い,多結晶シリコンウエハの少数キャリア寿命マッピングを再生して見せた。

シソーラス用語： *少数キャリア ,  *ポリシリコン ,  電子線誘起電流 ,  電流 ,  過渡応答 ,  透過型走査電子顕微鏡 ,  信号変調 ,  *キャリア寿命 ,  *ウエハ【IC】 ,  *寿命分布 ,  太陽電池 ,  多結晶シリコン太陽電池
準シソーラス用語： オンオフ変調 ,  過渡電流

分類 (2件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： 電子ビーム ,  誘起 ,  多結晶シリコン ,  少数キャリア寿命 ,  分布 ,  マッピング