Cu(In,Ga)Se<sub>2</sub>膜の成長に対するジメチルセレン供給率の影響

TAHASHI Masahiro; IINUMA Kenji; GOTO Hideo; YOSHINO Kenji; TAKAHASHI Makoto; IDO Toshiyuki

文献

J-GLOBAL ID：201302228823236889 整理番号：13A0014565

Cu(In,Ga)Se₂膜の成長に対するジメチルセレン供給率の影響

Effect of Dimethylselenium Supply Rate on Growth of Cu(In, Ga)Se₂ Films

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資料名：
巻： E95-C 号： 7 ページ： 1304-1306 (J-STAGE) 発行年： 2012年
JST資料番号： L1370A ISSN： 0916-8524 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

多結晶質Cu(In,Ga)Se₂ (CIGS)膜が,ジメチルセレン(Se(CH₃)を用いて金属先駆体の熱処理により準備されたが,これはH₂Seガスより危険が少ない。CIGS膜が色々なSe(CH₃)₂供給率において作成された。我々はSe(CH₃)₂供給率の膜の結晶位相及び表面結晶形態に及ぼす影響について研究した。(翻訳著者抄録)

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化学プロセス一般 , 半導体集積回路

引用文献 (23件)：

[1] J.L. Shay and J.H. Wernick, Ternary chalcopyrite semiconductors: Growth, electronic properties, and applications, Pergamon Press, Oxford, 1975.
[2] A. Zegadi, M.A. Slifkin, M. Djamin, A.E. Hill, and R.D. Tomlinson, “A photoacoustic study of CuIn_xGa_1-xSe₂ alloys,” Phys. Stat. Sol. (a), vol.133, pp.533-540, 1992.
[3] T. Wada, T. Negami, and M. Nishitani, “Preparation of CuInS₂ films by sulfurization of Cu-In-O films,” Appl. Phys. Lett., vol.62, pp.1943-1945, 1993.
[4] M. Terauchi, T. Negami, M. Nishitani, M. Ikeda, H. Wada, and T. Wada, “Preparation of CuInSe₂ thin films by selenization of Cu-In-O precursors,” Sol. Energ. Mat. Sol. C., vol.35, pp.121-127, 1994.
[5] M. Marudachalam, H. Hichri, R. Klenk, R.W. Birkmire, W.N. Shafarman, and J.M. Schultz, “Preparation of homogeneous Cu(InGa)Se₂ films by selenization of metal precursors in H₂Se atmosphere,” Appl. Phys. Lett., vol.67, pp.3978-3980, 1995.

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