文献

J-GLOBAL ID：201302228928734400   整理番号：12A1801073

WO_3-xデバイスにおける酸化物イオンの移動によるバイポーラ抵抗変化挙動

Oxide ion-migration-controlled bipolar resistance switching behavior in the WO_3-x-based devices

著者 (6件)： YANG Rui (National Inst. for Materials Sci.(NIMS), Tsukuba) ,  TERABE Kazuya (National Inst. for Materials Sci.(NIMS), Tsukuba) ,  TSUCHIYA Takashi (National Inst. for Materials Sci.(NIMS), Tsukuba) ,  TSURUOKA Tohru (National Inst. for Materials Sci.(NIMS), Tsukuba) ,  HASEGAWA Tsuyoshi (National Inst. for Materials Sci.(NIMS), Tsukuba) ,  AONO Masakazu (National Inst. for Materials Sci.(NIMS), Tsukuba)
資料名： 固体イオニクス討論会講演要旨集  (Extended Abstracts. Symposium on Solid State Ionics in Japan)
巻： 38th  ページ： 150-151  発行年： 2012年12月03日 
JST資料番号： L1398A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *半導体薄膜 ,  *酸化タングステン ,  イオン移動度 ,  エレクトロセラミック ,  点欠陥 ,  不揮発性メモリ ,  *BiCMOS ,  電流電圧特性 ,  白金電極 ,  電極触媒 ,  蒸着膜 ,  スパッタ蒸着 ,  表面構造 ,  金電極 ,  X線光電子分光法 ,  電気抵抗
準シソーラス用語： アルミニウム電極 ,  チタン電極 ,  バイポーラCMOS混在集積回路

分類 (3件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  電解装置  (XE02030E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 酸化物イオン ,  バイポーラ ,  抵抗変化 ,  挙動