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J-GLOBAL ID:201302228928734400   整理番号:12A1801073

WO3-xデバイスにおける酸化物イオンの移動によるバイポーラ抵抗変化挙動

Oxide ion-migration-controlled bipolar resistance switching behavior in the WO3-x-based devices
著者 (6件):
資料名:
巻: 38th  ページ: 150-151  発行年: 2012年12月03日 
JST資料番号: L1398A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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分類 (3件):
分類
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半導体薄膜  ,  セラミック・磁器の性質  ,  電解装置 
タイトルに関連する用語 (4件):
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