シリコン上に成長させた原子層堆積Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>層のブリスタリングそして金属-絶縁体-半導体構造へのその効果

BELDARRAIN Oihane; DUCH Marta; ZABALA Miguel; RAFI Joan Marc; GONZALEZ Mireia Bargallo; CAMPABADAL Francesca

文献

J-GLOBAL ID：201302229273697685 整理番号：13A0035643

シリコン上に成長させた原子層堆積Al₂O₃層のブリスタリングそして金属-絶縁体-半導体構造へのその効果

Blistering of atomic layer deposition Al₂O₃ layers grown on silicon and its effect on metal-insulator-semiconductor structures

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資料名：
巻： 31 号： 1 ページ： 01A128-01A128-6 発行年： 2013年01月
JST資料番号： C0789B ISSN： 0734-2101 CODEN： JVTAD6 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

本研究では,シリコン基板上に原子層堆積(ALD)により成長させたAl₂O₃層のブリスタリングに対する処理条件の影響の研究を紹介する。この現象は,堆積した状態の層をN₂雰囲気において高温でアニーるするときに生じる。密度および大きさによるブリスタリングの特性評価は,アニーリング温度が高いほど密度がより高いだけでなく,ブリスター直径がより小さいく,一方で酸化物が厚いほどブリスターがより大きいことを示した。Al-Al₂O₃-Si構造を得るためのブリスター化層の処理はブリスタリング現象を増強し,同時にブリスター下のシリコン表面に影響を与えた。これは堆積層の化学エッチングにより証明された。エッチングは円形シリコンにおいてブリスターの寸法のボイドを明らかにした。ALD過程で使用される酸素前駆体の影響も調べ,H₂Oの代わりにO₃を使用するときブリスター寸法が減少することを示した。最後に,薄い熱成長させたSiO₂層の使用によりAl₂O₃膜のブリスタリングが回避されることを示した。(翻訳著者抄録)

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酸化物薄膜

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シリコン上に成長させた原子層堆積Al2O3層のブリスタリングそして金属-絶縁体-半導体構造へのその効果

シリコン上に成長させた原子層堆積Al₂O₃層のブリスタリングそして金属-絶縁体-半導体構造へのその効果