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J-GLOBAL ID:201302230086528274   整理番号:13A1568508

コバルトとニッケルの積層膜を触媒とした熱フィラメントCVD法による単層カーボンナノチューブの低温成長の試み

Growth of Single-Walled Carbon Nanotubes by Hot-Filament Chemical Vapor Deposition at Low Temperatures Using Double-Layer Film Consisting of Nickel and Cobalt Layers as Catalyst
著者 (3件):
資料名:
巻: 34  号:ページ: 346-351 (J-STAGE)  発行年: 2013年 
JST資料番号: F0940B  ISSN: 0388-5321  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 英語 (EN)
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単層カーボンナノチューブ(SWCNTs)の成長をニッケルとコバルト層からなる2重層膜を触媒として利用する低温での熱フィラメント化学気相成長(CVD)法によって調べた。エタノールを炭素源として用いた。350°Cでの成長温度で,触媒としてコバルト膜を利用するとき,SWCNTsが成長しないのに対し,触媒としてニッケルとコバルト層からなる2重層膜を利用するとき,SWCNTsの成長が確認された。しかし,450°Cの成長温度でのSWCNTsの収量は,コバルト層を利用するとき,2重層薄膜を利用するときよりも高かった。SWCNTsを得るためのニッケルとコバルト層の最適厚みは,それぞれ1.0と1.2nmであった。ニッケルとコバルト層の積層によって,触媒薄膜は350°Cの成長温度で粒子に変化した。このナノ粒子を得るために,ニッケル相は,酸化コバルト層上に形成される必要がある。(翻訳著者抄録)
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分類 (2件):
分類
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炭素とその化合物  ,  その他の無機化合物の結晶成長 
引用文献 (16件):
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