抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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本研究では,SiC基板など次世代パワーデバイスのための基板普及を図るために新たな加工技術として電界砥粒分布制御研磨を適用した高効率研磨加工を提案し,その研磨メカニズムを検討した。本報では,SiC砥粒とシリコーンオイルを混合した流体をスラリーとし,電界砥粒分布制御研磨を適用した研磨実験を行い,この研磨率向上メカニズムについて検討した。広く知られているプレストンの研磨式を拡張し,電界印加による静電吸引力の影響と作用砥粒数増大の効果を考慮した電界砥粒分布制御研磨のための修正プレストンの研磨式を提案した。また電界印加により発生する上下定盤間に働く静電吸引力の影響について測定装置を構築し,砥粒・分散溶媒・研磨パッドが介在した条件下での吸引力測定実験をした。これにより得た主な知見を次に示した。1)電界強度に依存してSiC基板の研磨率は向上し,無電界に比べて1.5kV/mmでは,100cStシリコーンオイルを溶媒に用いたスラリーでは1.5倍,10cStシリコーンオイルを用いたスラリーで2.5倍の研磨率向上となること,2)電界印加による上下定盤間に働く静電吸引力を測定し,付加的な研磨荷重増大を推定したが,その割合は研磨荷重の最大1.38%であり,研磨率向上への寄与率は1.38%であること,3)研磨後の研磨定盤の観察結果から,電界印加時にはスラリーが研磨面に流入しやすくなり,研磨作用砥粒数が増大していること,この結果と静電吸引力の結果から研磨作用砥粒数の増大が研磨率向上の主たる要因であること。