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J-GLOBAL ID：201302230333926067   整理番号：13A0794493

近い将来における高密度及び高信頼性3D NANDフラッシュセルに関する素子考察

Device Considerations for High Density and Highly Reliable 3D NAND Flash Cell in Near Future

著者 (2件)： CHOI Eun-Seok (SK hynix Inc., Gyeonggi-do, KOR) ,  PARK Sung-Kye (SK hynix Inc., Gyeonggi-do, KOR)
資料名： Technical Digest. International Electron Devices Meeting  (Technical Digest. International Electron Devices Meeting)
巻： 2012  ページ： 211-214  発行年： 2012年 
JST資料番号： C0829B  ISSN： 0163-1918  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 3D NAND時代を開く,SMArTと呼ぶ高製造容易性及び高信頼性3D NANDフラッシュセルを,製造容易性の観点から簡単に述べた。素子性能及び信頼性を,2yノードのFGセルと比較した。SMArTは,優れたVth分布及び耐久性を示したが,HT保持は,高信頼性製品として依然として改善が必要であった。3D NANDフラッシュ時代を維持するために,プロセス,材料,及びセルアーキテクチャのようないくつかの課題を,近い将来に革新的な発展をするために克服しなければならない。

シソーラス用語： *三次元 ,  *フラッシュメモリ ,  *NAND回路 ,  記憶素子 ,  キャリア捕獲 ,  フローティングゲート ,  電圧 ,  電位分布 ,  擾乱 ,  *信頼性 ,  *データ書込 ,  *データ消去 ,  保持 ,  温度 ,  配線 ,  番地付
準シソーラス用語： NANDフラッシュ ,  電荷トラップ ,  閾値電圧 ,  焼成温度 ,  ワードライン

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 高信頼性 ,  3D ,  NANDフラッシュ ,  セル