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J-GLOBAL ID：201302230732511725   整理番号：13A1340516

TDDBによる統計的な破壊後のゲート電流増加のためのSPICEコンパクトモデル

A Compact SPICE Model for Statistical Post-Breakdown Gate Current Increase Due to TDDB

著者 (6件)： KIM Soo Youn (Purdue Univ., IN, USA) ,  PANAGOPOULOS Georgios (Purdue Univ., IN, USA) ,  HO Chih-Hsiang (Purdue Univ., IN, USA) ,  KATOOZI Mehdi (Boeing Res. & Technol., WA, USA) ,  CANNON Ethan (Boeing Res. & Technol., WA, USA) ,  ROY Kaushik (Purdue Univ., IN, USA)
資料名： Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium  (Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻： 2013 Vol.1  ページ： 7-10  発行年： 2013年 
JST資料番号： A0631A  ISSN： 1541-7026  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *絶縁破壊 ,  *時間依存性 ,  *ゲート【半導体】 ,  SPICEプログラム ,  シミュレーションモデル ,  Weibull分布 ,  *回路シミュレーション ,  パーコレーション ,  電圧 ,  *熱安定性 ,  リング発振器 ,  *超薄膜 ,  *CMOS構造 ,  電流電圧特性 ,  ポテンシャル障壁 ,  統計解析 ,  *電流 ,  経時絶縁破壊 ,  *MOS構造
準シソーラス用語： TDDB ,  コンパクトモデル ,  BTI ,  ゲート電流

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (6件)： TDDB ,  統計 ,  破壊 ,  ゲート電流 ,  SPICE ,  コンパクトモデル