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J-GLOBAL ID：201302234373858710   整理番号：13A0829573

RFマグネトロンスパッタリングを用いてCu/Ti/SiO₂/Si基板に成長させた非晶質BaTi₄O₉膜の電気特性

Electrical Properties of Amorphous BaTi₄O₉ Films Grown on Cu/Ti/SiO₂/Si Substrates Using RF Magnetron Sputtering

著者 (12件)： KIM Jin-Seong (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  KANG Min-Gyu (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  KANG Min-Gyu (Korea Inst. of Sci. and Technol., Seoul, KOR) ,  KWEON Sang-Hyo (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  HAN Guifang (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  KANG Chong-Yun (Korea Inst. of Sci. and Technol., Seoul, KOR) ,  KANG Chong-Yun (KU-KIST Graduate School of Converging Sci. and Technol., Seoul, KOR) ,  YUN Jung-Rak (SAMWHA Capacitor Co. Ltd, Gyeonggi-Do, KOR) ,  JEONG Young-Hun (Korea Inst. of Ceramic Engineering and Technol., Seoul, KOR) ,  PAIK Jong-Hoo (Korea Inst. of Ceramic Engineering and Technol., Seoul, KOR) ,  NAHM Sahn (Korea Univ., Seoul, KOR) ,  NAHM Sahn (KU-KIST Graduate School of Converging Sci. and Technol., Seoul, KOR)
資料名： Journal of the American Ceramic Society  (Journal of the American Ceramic Society)
巻： 96  号： 4  ページ： 1248-1252  発行年： 2013年04月 
JST資料番号： C0253A  ISSN： 0002-7820  CODEN： JACTAW  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質BaTi₄O₉(BT4)膜をCu/Ti/SiO₂/Si基板に種々の温度(室温~200°C)で成長させ,微細構造と電気特性を調べ,埋め込みキャパシタへの利用の可能性を調べた。室温で成長させたBT4膜の誘電率は38,誘電正接は100kHzで3.2%であった。同様の誘電率が高周波領域で得られ,1GHzで品質係数は143であった。膜のキャパシタンス密度は200nF/cm²,キャパシタンスの温度係数は75kHzで296ppm/°C,絶縁破壊電圧は42.5Vであった。また,非晶質BT4膜の漏洩電流機構はショットキー放出機構で,ショットキー障壁高さは2.26eVであった。

シソーラス用語： *チタン酸バリウム ,  *非晶質 ,  *誘電体薄膜 ,  *マグネトロンスパッタリング ,  RFスパッタリング ,  *スパッタ蒸着 ,  基板 ,  銅 ,  チタン ,  酸化ケイ素 ,  ケイ素 ,  *電気特性 ,  微細構造 ,  *プリント基板 ,  埋込み【挿入】 ,  *コンデンサ ,  誘電率 ,  誘電正接 ,  係数 ,  品質特性 ,  静電容量 ,  電圧 ,  絶縁破壊 ,  漏れ電流
準シソーラス用語： BT4 ,  キャパシタ ,  キャパシタンス ,  プリント回路板 ,  絶縁破壊電圧 ,  品質係数 ,  漏洩電流

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  誘電体一般  (BM05010F)

タイトルに関連する用語 (8件)： RFマグネトロンスパッタリング ,  Cu ,  Ti ,  SiO2 ,  Si基板 ,  成長 ,  非晶質 ,  電気特性