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J-GLOBAL ID：201302235162184948   整理番号：13A0746170

GeドープSbTe相変化材料の高速でスケーラブルなメモリ特性

Fast and scalable memory characteristics of Ge-doped SbTe phase change materials

著者 (7件)： CHEONG Byung-Ki (Korea Inst. of Sci. and Technol., Seoul, KOR) ,  LEE Suyoun (Korea Inst. of Sci. and Technol., Seoul, KOR) ,  JEONG Jeung-Hyun (Korea Inst. of Sci. and Technol., Seoul, KOR) ,  PARK Sohee (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  HAN Seungwu (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  WU Zhe (Samsung Electronics, Gyeonggi-Do, KOR) ,  AHN Dong-Ho (Samsung Electronics, Gyeonggi-Do, KOR)
資料名： Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics  (Physica Status Solidi. B. Basic Solid State Physics)
巻： 249  号： 10  ページ： 1985-1991  発行年： 2012年10月 
JST資料番号： C0599A  ISSN： 0370-1972  CODEN： PSSBBD  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (3件)： Ge ,  ドープ ,  相変化材料