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J-GLOBAL ID:201302235919160863   整理番号:13A0983160

パルス着磁に適したバルク超伝導体の合成

著者 (8件):
資料名:
巻: 87th  ページ: 67  発行年: 2013年05月13日 
JST資料番号: G0564B  ISSN: 0919-5998  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
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バルク超伝導体に対するパルス着磁法は静磁場着磁法に比べて簡便であるが,磁束線の運動の影響を無視できないため着磁性能は低い。そこで磁束侵入の経路を作製し磁束侵入を容易にする手法を研究した。バルク体の合成時に種結晶の位置や数を変え,それらにパルス磁場を印加して磁場捕捉性能を評価した。作製した幾つかの試料は通常のバルクより磁場侵入が早まり,複数の種結晶を用いた試料では,着磁に必要な印加磁場が大幅に低下して磁場の侵入が促進された。(著者抄録)
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分類 (1件):
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酸化物系超伝導体の物性 
タイトルに関連する用語 (2件):
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