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J-GLOBAL ID：201302236957982326   整理番号：13A0722008

Al₂O₃キャップ形成層によるN₂Oにおける酸化後アニーリング中のSiO₂O/SiC界面での再酸化抑制の効果

Effect of suppressing reoxidation at SiO₂/SiC interface during post-oxidation annealing in N₂O with Al₂O₃ capping layer

著者 (5件)： KIMURA T. (Toyota Central R&D Labs., Inc., Aichi, JPN) ,  ISHIKAWA T. (Toyota Central R&D Labs., Inc., Aichi, JPN) ,  SOEJIMA N. (Toyota Central R&D Labs., Inc., Aichi, JPN) ,  NOMURA K. (Toyota Central R&D Labs., Inc., Aichi, JPN) ,  SUGIYAMA T. (Toyota Central R&D Labs., Inc., Aichi, JPN)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 740/742  ページ： 737-740  発行年： 2013年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (9件)： Al2O3 ,  キャップ ,  形成層 ,  N2O ,  酸化 ,  アニーリング ,  SiC ,  界面 ,  再酸化