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J-GLOBAL ID：201302236971772741   整理番号：13A0339163

加工条件の異なる(110)〈111〉単結晶シリコン薄膜の引張試験

著者 (5件)： 上杉晃生 (京大 大学院工学研究科) ,  平井義和 (京大 大学院工学研究科) ,  菅野公二 (京大 大学院工学研究科) ,  土屋智由 (京大 大学院工学研究科) ,  田畑修 (京大 大学院工学研究科)
資料名： 日本機械学会M&M材料力学カンファレンス(CD-ROM)  (日本機械学会M&M材料力学カンファレンス講演論文集(CD-ROM))
巻： 2012  ページ： ROMBUNNO.OS1909  発行年： 2012年 
JST資料番号： L0191B  ISSN： 2424-2845  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 我々は単結晶シリコン薄膜の破壊メカニズムについて研究を行っている。本報では,活性層面方位(110)単結晶シリコンの〈111〉方位引張強度に及ぼす,パターニングプロセスの加工条件の影響について報告する。パターニングプロセスにおいてDRIEと表面残渣除去処理の処理条件・処理順序を変更して3種類の表面状態の異なる試験片を作製し,室温下にて静電チャックによる単軸引張試験を行った。また,引張破断後の試験片の持つ角部の欠陥の大きさと引張強度との関係についても報告する。(著者抄録)

シソーラス用語： ケイ素 ,  *薄膜 ,  *引張試験 ,  結晶方位
準シソーラス用語： *単結晶シリコン

分類 (1件)： セラミック材料試験  (HB04000M)

タイトルに関連する用語 (4件)： 加工条件 ,  単結晶 ,  シリコン薄膜 ,  引張試験