MD ARSHAD M.K. について
Univ. Catholique de Louvain, Louvain-la-Neuve, BEL について
RASKIN J.-P. について
Univ. Catholique de Louvain, Louvain-la-Neuve, BEL について
FLANDRE D. について
Univ. Catholique de Louvain, Louvain-la-Neuve, BEL について
KILCHYTSKA V. について
Univ. Catholique de Louvain, Louvain-la-Neuve, BEL について
MD ARSHAD M.K. について
Universiti Malaysia Perlis, Perlis, MYS について
MAKOVEJEV S. について
Newcastle Univ., Newcastle upon Tyne, GBR について
OLSEN S. について
Newcastle Univ., Newcastle upon Tyne, GBR について
ANDRIEU F. について
Leti MINATEC, CEA, Grenoble, FRA について
Solid-State Electronics について
MOSFET について
接地装置 について
性能指数 について
酸化膜 について
ゲート【半導体】 について
超薄膜 について
短チャネル効果 について
相互コンダクタンス について
利得 について
半導体プロセス について
BOX について
DIBL について
nMOSFET について
ダブルゲート について
完全空乏型SOI について
接地板 について
トランジスタ について
SOI について
MOSFET について
アナログ について
性能指数 について
接地板 について
非対称 について
ダブルゲート について