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J-GLOBAL ID：201302237695867420   整理番号：13A0621908

ブレークダウン電圧改善のためのInAlN/GaN HEMTにおけるSchottkyコンタクト技術

Schottky-Contact Technology in InAlN/GaN HEMTs for Breakdown Voltage Improvement

著者 (7件)： ZHOU Qi (Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN) ,  CHEN Wanjun (Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN) ,  LIU Shenghou (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG) ,  ZHANG Bo (Univ. Electronic Sci. and Technol. China, Chengdu, CHN) ,  FENG Zhihong (Hebei Semiconductor Res. Inst., Shijiazhuang, CHN) ,  CAI Shujun (Hebei Semiconductor Res. Inst., Shijiazhuang, CHN) ,  CHEN Kevin J. (Hong Kong Univ. Sci. and Technol., HKG)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 60  号： 3  ページ： 1075-1081  発行年： 2013年03月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 格子整合In_0.17Al_0.83N/GaN HEMTに新しいSchottkyコンタクト技術を用いて,オフ状態ブレークダウン電圧(BV)をオーミックソースドレインによるコントロールInAlN/GaN HEMTと比較して253%改善した。それらはSchottkyソース/ドレイン(SSD)とSchottkyソース(SS)InAlN/GaN HEMTである。同じ寸法の従来InAlN/GaN HEMTのBVが184Vに対して,提案するInAlN/GaN HEMTの3端子BVは600V以上である。フィールドプレートを使わずにSS InAlN/GaN HEMTは650VのBVを達成した。BVの改善は,平滑なメタルモルフォロジとSchottkyメタライゼーションにおけるメタルスパイクの消滅で,SS下のGaNバッファへのソースキャリア注入が抑制される効果によるものである。

シソーラス用語： 電圧 ,  *HEMT ,  窒化ガリウム ,  半導体金属接合 ,  モルフォロジー ,  キャリア注入 ,  電流電圧特性 ,  インジウム化合物 ,  アルミニウム化合物 ,  窒化物
準シソーラス用語： GaN ,  InAlN ,  *Schottky接合 ,  *ブレークダウン電圧

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： ブレークダウン電圧 ,  InAlN ,  GaN ,  HEMT ,  コンタクト