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J-GLOBAL ID：201302237720222218   整理番号：13A0687992

イオン照射による半導体表面ナノ構造形成

著者 (1件)： 新田紀子 (高知工科大 ナノテクノロジー研)
資料名： まてりあ  (Materia Japan)
巻： 52  号： 4  ページ： 166-172  発行年： 2013年04月01日 
JST資料番号： F0163A  ISSN： 1340-2625  CODEN： MTERE2  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 重イオン照射によって化合物半導体GaSb,InSb表面に形成されるナノ構造を紹介した。セル状構造の詳細な形成機構を調べるための実験を述べた。形成機構を詳しく調べるためには点欠陥の挙動を解明することが重要である。そのために照射量,照射温度,照射試料の形状および照射する荷電粒子を変化させ実験を行った。イオン照射と電子照射の比較も行った。照射条件の変化により点欠陥の形成量,移動度,形成密度を変化させることができる。導入される点欠陥を制御し,それによって形成される構造の調査により,この特異な構造の生成機構を探求した。観察した構造はナノオーダであるが規則的ではない。半導体表面に形成される規則配列したナノ構造は電子デバイス等への応用が考えられる。集束イオンビーム(FIB)を用い規則配列したナノセル構造作製の試みも紹介した。

シソーラス用語： *ナノ構造 ,  ヒ化ガリウム ,  ヒ化インジウム ,  *化合物半導体 ,  *重イオン照射 ,  電子照射 ,  透過型電子顕微鏡 ,  表面構造 ,  点欠陥 ,  荷電粒子 ,  温度 ,  温度依存性 ,  照射線量 ,  集束イオンビーム ,  セル構造 ,  形態 ,  空孔欠陥 ,  配列 ,  スズイオン ,  照射温度 ,  照射線量依存性 ,  構造
準シソーラス用語： 照射量依存性

分類 (1件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E)

引用文献 (40件)：

• GRIMALDI, M. G. J. Appl. Phys. 1981, 52, 4038-4046
• OPYD, W. G. Appl. Phys. Lett. 1986, 49, 947-976
• TANIWAKI, M. J. Appl. Phys. 1990, 67, 4036-4041
• GASPAROTTO, A. J. Appl. Phys. 1999, 85, 753-760
• KLEITMAN, D. Phys. Rev. 1957, 108, 901

タイトルに関連する用語 (3件)： イオン照射 ,  半導体表面 ,  構造形成