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J-GLOBAL ID：201302237907170785   整理番号：13A1156505

原子層堆積によりケイ素とヒ化ガリウム基板に成長させた酸化アルミニウム薄膜の電気特性の比較

Comparison of electrical properties of aluminum oxide thin films on silicon and gallium arsenide substrates grown by atomic layer deposition

著者 (4件)： ZHANG X. ,  REN H.t. ,  LI R. ,  XIANG G.
資料名： Surface & Coatings Technology  (Surface & Coatings Technology)
巻： 228  号： Supplement 1  ページ： S246-S248  発行年： 2013年08月15日 
JST資料番号： D0205C  ISSN： 0257-8972  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子層堆積によりSiとGaAs基板に成長させたAl₂O₃薄膜の電気特性を特性評価し,電流-電圧とキャパシタンス-電圧測定により比較した。界面酸化物層厚さ,フラットバンド電圧及び半導体基板内のドーピングレベルを決定した。異なる基板上のAl₂O₃膜の誘電定数と絶縁破壊電圧の違いには異なるエネルギーバンドアライメントと異なる酸化物界面層の存在が寄与した。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *アルミナ ,  *蒸着膜 ,  *化学蒸着 ,  *ウエハ【IC】 ,  *ヒ化ガリウム ,  電気的性質 ,  電流電圧特性 ,  静電容量 ,  界面 ,  酸化層 ,  電圧 ,  半導体 ,  基板 ,  ドーピング ,  バンド構造 ,  誘電率 ,  絶縁破壊
準シソーラス用語： エネルギーバンド ,  *ケイ素基板 ,  フラットバンド電圧 ,  *原子層堆積 ,  絶縁破壊電圧

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (7件)： 原子層堆積 ,  ケイ素 ,  ヒ化ガリウム基板 ,  成長 ,  酸化アルミニウム ,  薄膜 ,  電気特性