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J-GLOBAL ID：201302237926076218   整理番号：13A1448783

相変化メモリに適用するためのコンパクトなダイオードアレイモデル

A Compact Diode Array Model for Phase Change Memory Application

著者 (9件)： SU Yanmei (Peking Univ., CHN) ,  SU Yanmei (Peking Univ. Shenzhen Inst., Shenzhen, CHN) ,  YE Yue (Peking Univ. Shenzhen Inst., Shenzhen, CHN) ,  WANG Cheng (Peking Univ. Shenzhen Inst., Shenzhen, CHN) ,  HE Hongyu (Peking Univ. Shenzhen Inst., Shenzhen, CHN) ,  LIANG Hailang (Peking Univ. Shenzhen Inst., Shenzhen, CHN) ,  WANG Hao (Peking Univ. Shenzhen Inst., Shenzhen, CHN) ,  HE Jin (Peking Univ., CHN) ,  HE Jin (Peking Univ. Shenzhen Inst., Shenzhen, CHN)
資料名： Journal of Computational and Theoretical Nanoscience  (Journal of Computational and Theoretical Nanoscience)
巻： 10  号： 11  ページ： 2694-2700  発行年： 2013年11月 
JST資料番号： W2377A  ISSN： 1546-1955  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 相変化メモリ(PCM)駆動に関する物理的にコンパクトなダイオードアレイモデルを検討している。このモデルはさまざまな構造パラメータの場合に有効で,幾何学パラメータとドーピング濃度もこれには含んでいる。担体電流分布を基礎にして,古典的ダイオード方程式から漏れ電流係数を厳密に導出し,単純化したバイポーラデバイス式を導出している。このモデルは実測データとの比較により広範囲に検証され,担体輸送における物理的機序の研究に役立つ。ここに提示する簡単なモデルは開モデル構造をもち,デバイス物理学の究明におけるパラメータ抽出をともなうさまざまな製造プロセスに応用できる。

シソーラス用語： *不揮発性メモリ ,  *相転移 ,  PN接合 ,  接合ダイオード ,  アレイ回路 ,  固体素子モデル ,  駆動回路 ,  パラメータ推定 ,  漏れ電流 ,  解析モデル ,  輸送現象 ,  電気伝導 ,  記憶素子 ,  *半導体メモリ ,  計算機シミュレーション ,  不純物分布 ,  PRAM【メモリ】
準シソーラス用語： キャリア輸送 ,  ドーピング分布 ,  相変化メモリ

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (1件)： 相変化メモリ