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J-GLOBAL ID：201302239059481115   整理番号：13A1283113

変調型窒素ラジカルビーム源を用いたRF-MBEによって成長したGaNAs/GaAs MQWs p-i-n接合のエレクトロルミネセンス

Electroluminescence of GaNAs/GaAs MQWs p-i-n junctions grown by RF-MBE using modulated nitrogen radical beam source

著者 (15件)： OHTA Natsumi (Fac. of Engineering, Kagawa Univ., 2217-20 Hayashi-cho, Takamatsu, Kagawa 761-0396, JPN) ,  ARIMOTO Kohei (Teikoku Databank, Ltd., 2-5-20 Minami Aoyama, Minato-ku, Tokyo 107-8680, JPN) ,  SHIRAGA Masahiro (Fac. of Engineering, Kagawa Univ., 2217-20 Hayashi-cho, Takamatsu, Kagawa 761-0396, JPN) ,  ISHII Kenta (Fac. of Engineering, Kagawa Univ., 2217-20 Hayashi-cho, Takamatsu, Kagawa 761-0396, JPN) ,  INADA Masatoshi (Fac. of Engineering, Kagawa Univ., 2217-20 Hayashi-cho, Takamatsu, Kagawa 761-0396, JPN) ,  YANAI Shunsuke (Fac. of Engineering, Kagawa Univ., 2217-20 Hayashi-cho, Takamatsu, Kagawa 761-0396, JPN) ,  NAKAI Yuko (Fac. of Engineering, Kagawa Univ., 2217-20 Hayashi-cho, Takamatsu, Kagawa 761-0396, JPN) ,  AKIYAMA Hidefumi (Inst. for Solid State Physics, Univ. of Tokyo, 5-1-5 Kashiwa, Chiba 277-8581, JPN) ,  MOCHIZUKI Toshimitsu (Inst. for Solid State Physics, Univ. of Tokyo, 5-1-5 Kashiwa, Chiba 277-8581, JPN) ,  TAKAHASHI Toshio (Inst. for Solid State Physics, Univ. of Tokyo, 5-1-5 Kashiwa, Chiba 277-8581, JPN) ,  TAKAHASHI Naoshi (Fac. of Education, Kagawa Univ., 1-1 Saiwai-cho, Takamatsu, Kagawa 760-8521, JPN) ,  MIYAGAWA Hayato (Fac. of Engineering, Kagawa Univ., 2217-20 Hayashi-cho, Takamatsu, Kagawa 761-0396, JPN) ,  TSURUMACHI Noriaki (Fac. of Engineering, Kagawa Univ., 2217-20 Hayashi-cho, Takamatsu, Kagawa 761-0396, JPN) ,  NAKANISHI Shunsuke (Fac. of Engineering, Kagawa Univ., 2217-20 Hayashi-cho, Takamatsu, Kagawa 761-0396, JPN) ,  KOSHIBA Shyun (Fac. of Engineering, Kagawa Univ., 2217-20 Hayashi-cho, Takamatsu, Kagawa 761-0396, JPN)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 378  ページ： 150-153  発行年： 2013年09月01日 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アンドープGaNAs/GaAs多重量子井戸(MQWs)を,p型ドープとn型ドープのGaAs層で挟み込んだp-i-n接合構造の電気的,光学的特性を調査した。変調型Nラジカルビーム法を用いたプラズマ支援分子線エピタキシー(RF-MBE)によって,試料をGaAs(001)基板上に形成した。さまざまなGaNAs MQW構造に向けて,数種の試料を作製した。エレクトロルミネッセンス(EL)測定によるスペクトルは,フォトルミネッセンス(PL)のスペクトルと少し異なり,EL強度は印加電流にほぼ比例していた。室温EL測定から,GaNAs/GaAs MQWの電子の強い閉じ込めが明らかになった。Copyright 2013 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *PIN接合 ,  *エレクトロルミネセンス ,  *MBE成長 ,  *多重量子井戸 ,  ヒ化ガリウム ,  ビーム ,  ラジカル ,  基板 ,  *ガリウム化合物 ,  ヒ化物 ,  窒化物 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  光ルミネセンス ,  *量子閉込め ,  プラズマMBE ,  *ヒ化窒化ガリウム
準シソーラス用語： ラジカルビーム

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 変調 ,  窒素 ,  ラジカル ,  ビーム ,  RF-MBE ,  成長 ,  GaAs ,  エレクトロルミネセンス