文献

J-GLOBAL ID：201302239155099582   整理番号：13A0239564

可逆的スイッチング応用を目指した酸化ニッケルのプラズマ増強原子層蒸着膜の基板依存成長挙動

Substrate Dependent Growth Behaviors of Plasma-Enhanced Atomic Layer Deposited Nickel Oxide Films for Resistive Switching Application

著者 (9件)： SONG Seul Ji (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  LEE Sang Woon (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Gun Hwan (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  SEOK Jun Yeong (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  YOON Kyung Jean (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  YOON Jung Ho (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  HWANG Cheol Seong (Seoul National Univ., Seoul, KOR) ,  GATINEAU Julien (Air Liquide, Ibaraki Pref., JPN) ,  KO Changhee (Air Liquide, Ibaraki Pref., JPN)
資料名： Chemistry of Materials  (Chemistry of Materials)
巻： 24  号： 24  ページ： 4675-4685  発行年： 2012年12月25日 
JST資料番号： T0893A  ISSN： 0897-4756  CODEN： CMATEX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： [MeCp]₂Ni前駆体とプラズマ増強酸素ガスを用いたプラズマ増強原子層蒸着(PEALD)により,金属(Pt,Ru,W)基板上にNiO薄膜を蒸着し,薄膜成長挙動に及ぼす基板の影響を調べた。ALDは150~250°Cで行うべきであり,これより高い基板温度では前駆体は熱分解した。Pt,RuおよびW基板上のNiO膜の飽和PEALD速度は0.48,0.58,0.84Å/サイクルであった。Pt基板はNiO膜の初期核形成をわずかに遅延させたが,WとRuは膜の核形成と成長を初期数十サイクルで増強した。NiOとPt間の小さな格子不整合と二つ材料間の同一結晶構造はPt基板上でのNiO膜のエピタクシーをもたらした。Pt基板上で成長するNiO膜の表面は(111)以外の平面から成り,最大の吸着部位密度を有し,定常成長速度は固有の成長方位を有しないRu基板の場合より遅かった。30nm厚NiO膜の表面はWO₃結合状態を含むが,他の金属基板上の膜は基板金属膜の酸化状態を示さなかった。W基板上のNiO薄膜は広い温度範囲での高信頼性バイポーラ抵抗スイッチングと室温での緩やかなユニポーラスイッチングを示した。

シソーラス用語： *酸化ニッケル ,  タングステン ,  白金 ,  ルテニウム ,  プラズマ ,  化学蒸着 ,  記憶装置 ,  *基板 ,  *蒸着膜 ,  薄膜成長 ,  X線光電子分光法 ,  表面性状 ,  反応機構 ,  電流電圧特性
準シソーラス用語： *金属基板 ,  原子層蒸着 ,  酸素プラズマ

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (9件)： スイッチング ,  応用 ,  酸化ニッケル ,  プラズマ ,  増強 ,  原子層 ,  蒸着膜 ,  成長 ,  挙動