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J-GLOBAL ID：201302239323392517   整理番号：13A0138004

銅/低kテスト構造のTDDB寿命に及ぼす電場増強の影響

Impact of Field Enhancement on TDDB Lifetimes of Cu/Low-k Test Structures

著者 (4件)： ONG R. X. (Nanyang Technological Univ., Singapore) ,  ONG R. X. (GLOBAFOUNDRIES Singapore Pte LTD, Singapore) ,  TAN T. L. (GLOBAFOUNDRIES Singapore Pte LTD, Singapore) ,  GAN C. L. (Nanyang Technological Univ., Singapore)
資料名： Proceedings of the International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits  (Proceedings of the International Symposium on the Physical & Failure Analysis of Integrated Circuits)
巻： 19th  ページ： 293-297  発行年： 2012年 
JST資料番号： W1259A  ISSN： 1946-1542  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： 銅 ,  *誘電材料 ,  誘電率 ,  *テスト構造 ,  *絶縁破壊 ,  時間依存性 ,  *電場効果 ,  *故障解析 ,  スケール則 ,  モンテカルロ法 ,  *寿命予測 ,  シミュレーション ,  配線 ,  半導体チップ ,  二酸化ケイ素 ,  *層間絶縁 ,  *信頼性 ,  絶縁耐力
準シソーラス用語： 低誘電率材料 ,  TDDB ,  電場増強

分類 (1件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G)

タイトルに関連する用語 (6件)： 銅 ,  テスト構造 ,  TDDB ,  寿命 ,  電場 ,  増強