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J-GLOBAL ID：201302239483459804   整理番号：13A0824817

GaNベースナノロッド構造を用いた太陽水素発生効率における増倍

Enhancement in solar hydrogen generation efficiency using a GaN-based nanorod structure

著者 (3件)： BENTON J. (Dep. of Electronic and Electrical Engineering, Univ. of Sheffield, Mappin Street, Sheffield S1 3JD, GBR) ,  BAI J. (Dep. of Electronic and Electrical Engineering, Univ. of Sheffield, Mappin Street, Sheffield S1 3JD, GBR) ,  WANG T. (Dep. of Electronic and Electrical Engineering, Univ. of Sheffield, Mappin Street, Sheffield S1 3JD, GBR)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 102  号： 17  ページ： 173905-173905-4  発行年： 2013年04月29日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *配列 ,  *窒化ガリウム ,  *発生 ,  *太陽エネルギー ,  *光電極 ,  ドライエッチング ,  塩酸 ,  溶液 ,  光照射 ,  *光電流 ,  光吸収 ,  *面積 ,  半導体 ,  電解質 ,  界面 ,  *ナノロッドアレイ
準シソーラス用語： *水素発生 ,  塩化水素酸

分類 (3件)： 気体燃料の製造  (YE02030F) ,  太陽エネルギー利用機器  (QE05020H) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： GaN ,  ナノロッド ,  太陽水素