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J-GLOBAL ID:201302239566958187   整理番号:13A0228961

精密にプロセス制御した同時スパッタリングによるNbドープTiO2膜の大面積蒸着

Deposition of Nb-Doped TiO2 Films on Large Area by Co-Sputtering with Precise Process Control
著者 (2件):
資料名:
巻: 55th  ページ: 547-551  発行年: 2012年 
JST資料番号: E0063B  ISSN: 0737-5921  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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TiおよびTi80Nb20の2種類のターゲットを用いて同時マグネトロンスパッタリングにより,膜厚50~250nmのNbドープTiO2透明導電膜を作製した。それぞれのターゲットのスパッタパルス時間,反応のための酸素量をオンラインで精密に制御した。それによって薄膜の組成を0.1%程度まで再現性良く制御できた。最適組成の薄膜を450°Cで焼鈍した場合,光学的及び電気的性質は市販のものに比べて遜色がなかった。本法は市販のものに比べて,広い領域をより高速で蒸着できる。
シソーラス用語:
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分類 (1件):
分類
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酸化物薄膜 

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