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J-GLOBAL ID：201302240003430370   整理番号：13A0470819

半導体工業用のリソグラフィー露光装置における超高精細エンジニアリング

Ultra-precision engineering in lithographic exposure equipment for the semiconductor industry

著者 (1件)： MUNNIG SCHMIDT Robert-H. (Delft Univ. Technol., Delft, NLD)
資料名： Philosophical Transactions of the Royal Society A. Mathematical, Physical and Engineering Sciences  (Philosophical Transactions of the Royal Society A. Mathematical, Physical and Engineering Sciences)
巻： 370  号： 1973  ページ： 3950-3972  発行年： 2012年08月28日 
JST資料番号： D0317A  ISSN： 1364-503X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 半導体ダイオード効果がBraunにより1897年に発見されて以来,1947年のBell研究所のShockley等のトランジスタの発明,1958年のKilbyやNoyceによるICの発明と半導体素子は大きな流れにより進歩してきた。最近の超LSIでは高精細リソグラフィー技術がMooreの法則の進展に重要な役割を果たしている。本稿では,超高精細リソグラフィー技術について解説を行った。動的アーキテクチャ,ゼロ剛性ステージ作動,相対的間接位置測定法,運動制御,温度制御などの項目についてそれぞれ詳細に解説した。最後に,現在の光リソグラフィーの限界とEUVリソグラフィーの導入の必要性を述べた。

シソーラス用語： *フォトリソグラフィー ,  *超LSI ,  法則 ,  位置測定 ,  運動制御 ,  温度制御 ,  長さ
準シソーラス用語： EUVリソグラフィー ,  Mooreの法則 ,  *極端紫外光リソグラフィー ,  光リソグラフィー ,  最小加工寸法 ,  超高精細 ,  *露光装置

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： 半導体工業 ,  リソグラフィー ,  露光装置 ,  超高精細 ,  エンジニアリング