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J-GLOBAL ID：201302240601270647   整理番号：13A0340409

ぺリレンジイミドによるAu/p-Si Schottky素子のSchottky障壁高さの改変

The modification of Schottky barrier height of Au/p-Si Schottky devices by perylene-diimide

著者 (4件)： YUEKSEL Oe. F. (Dep. of Physics, Fac. of Sci., Selcuk Univ. Campus, Konya 42075 Turkey) ,  TUGLUOGLU N. (Dep. of Res. and Dev., Saraykoey Nuclear Res. and Training Center, 06983, Saray, Ankara, TUR) ,  SAFAK H. (Dep. of Physics, Fac. of Sci., Selcuk Univ. Campus, Konya 42075 Turkey) ,  KUS M. (Dep. of Chemical Engineering, Selcuk Univ. Campus, Konya 42075 Turkey)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 113  号： 4  ページ： 044507-044507-9  発行年： 2013年01月28日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： ケイ素 ,  金 ,  *Schottky障壁 ,  酸イミド ,  芳香族縮合化合物 ,  *電流電圧特性 ,  容量電圧特性 ,  表面準位 ,  温度依存性 ,  半導体金属接合
準シソーラス用語： 中間層 ,  理想因子 ,  ペリレンジイミド

分類 (1件)： 半導体-金属接触  (BM03084G)

タイトルに関連する用語 (4件)： Au ,  Si ,  Schottky障壁高さ ,  改変