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J-GLOBAL ID：201302240654460529   整理番号：13A0026344

SiCパワーデバイス・モジュールの高性能化-低抵抗,高耐熱によるシステムの小型化-

High Performance SiC Power Devices and Modules-Miniaturization of System by Low-Ron and High Temperature Operation-

著者 (5件)： 中村孝 (ローム 新材料デバイス研究開発セ) ,  明田正俊 (ローム 新材料デバイス研究開発セ) ,  中野佑紀 (ローム 新材料デバイス研究開発セ) ,  大塚拓一 (ローム 新材料デバイス研究開発セ) ,  花田俊雄 (ローム 新材料デバイス研究開発セ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 112  号： 290(SDM2012 98-114)  ページ： 9-10  発行年： 2012年11月08日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 超低抵抗SiCトレンチMOSFETを高耐圧モジュールに応用し,超小型・高効率モジュールを実現。(著者抄録)

シソーラス用語： 炭化ケイ素 ,  半導体素子 ,  *パワーエレクトロニクス ,  *回路モジュール ,  *耐熱性 ,  小型化 ,  トレンチカット【加工】 ,  MOSFET ,  絶縁耐力
準シソーラス用語： SiC ,  パワーデバイス ,  高性能化 ,  高耐圧

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  混成集積回路  (NC03163K)

引用文献 (2件)：

• Nakamura, T. Tech. Dig. of International Electron Devices Meeting. 2011, 26.5.1
• Nakamura, T. Extended Abstracts of the 2012 International Conference on Solid State Devices and Materials, Kyoto. 2012, 899-90

タイトルに関連する用語 (5件)： SiCパワーデバイス ,  モジュール ,  高性能化 ,  低抵抗 ,  高耐熱