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J-GLOBAL ID：201302240767569144   整理番号：13A1773579

(0001)GaN/サファイアの有機金属気相エピタクシーにおけるMgドーピングによる表面移動の増強

Enhancement of Surface Migration by Mg Doping in the Metalorganic Vapor Phase Epitaxy of (000<span style=text-decoration:overline>1</span>) GaN/sapphire

著者 (12件)： TANIKAWA T. (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  TANIKAWA T. (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  AISAKA T. (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  KIMURA T. (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  KIMURA T. (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  KUBOYA S. (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  HANADA T. (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  HANADA T. (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  KATAYAMA R. (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  KATAYAMA R. (JST-CREST, Saitama, JPN) ,  MATSUOKA T. (Tohoku Univ., Miyagi, JPN) ,  MATSUOKA T. (JST-CREST, Saitama, JPN)
資料名： Abstract. JSAP-MRS Joint Symposia (CD-ROM)  (Abstract. JSAP-MRS Joint Symposia (CD-ROM))
ページ： ROMBUNNO.18P-M6-8  発行年： 2013年 
JST資料番号： M20130006  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  基板 ,  MOCVD ,  ドーピング ,  マグネシウム ,  半導体薄膜 ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  *表面拡散 ,  *薄膜成長
準シソーラス用語： MOVPE ,  サファイア基板

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： GaN ,  サファイア ,  有機金属気相エピタクシー ,  Mg ,  ドーピング ,  表面移動 ,  増強