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J-GLOBAL ID：201302241297349050   整理番号：13A1578010

進行波法による4H-SiCにおける窒素のイオン化エネルギーの測定

Measurement of Ionization Energies of Nitrogen in 4H-SiC by Traveling-Wave Method

著者 (4件)： TAKASE Tsuyoshi (Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu, JPN) ,  SAKAINO Masamichi (Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu, JPN) ,  SUN Yong (Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu, JPN) ,  MIYASATO Tatsuro (Kyushu Inst. of Technol., Kitakyushu, JPN)
資料名： Japanese Journal of Applied Physics  (Japanese Journal of Applied Physics)
巻： 52  号： 9,Issue 1  ページ： 091301.1-091301.7  発行年： 2013年09月25日 
JST資料番号： G0520B  ISSN： 0021-4922  CODEN： JJAPB6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非破壊で非接触の進行波法を用い,1×10¹⁹cm³の窒素原子を有する4H-SiCの,不純物バンドおよび対応するイオン化エネルギーを測定した。SiCの試料を表面弾性波素子の表面の近くに置き,試料表面に斜め方向に進行する圧電ポテンシャルの進行波の減衰を測定することによって,伝導率を得ることができる。窒素原子から励起するフリーキャリアーのフリーズアウト過程に対応する伝導率の温度依存性を観測し,対応する窒素原子のイオン化エネルギーがアレニウスプロットで見積もられた。炭素部分格子における立方晶,および六角晶のサイトにドーピングされた原子に起因する不純バンドにおけるは,室温においてそれぞれ72.89と47.89meVであった。得られたイオン化エネルギーは,報告された他の理論的,および実験的な研究結果と良い一致をみた。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *進行波 ,  *炭化ケイ素 ,  *イオン化ポテンシャル ,  窒素 ,  バンド構造 ,  キャリア ,  図化
準シソーラス用語： *4H-SiC ,  Arrheniusプロット ,  イオン化エネルギー ,  自由キャリア ,  不純物バンド

分類 (2件)： 原子の性質  (BH02020G) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

引用文献 (46件)：

• M. Bhatnagar and B. J. Baliga: IEEE Trans. Electron Devices 40 (1993) 645.
• E. Janzén and O. Kordina:Mater. Sci. Eng. B 46 (1997) 203.
• W. J. Schaffer, G. H. Negley, K. G. Irvine, and J. W. Palmour:MRS Proc. 339 (1994) 595.
• B. I. Shklovskii and A. L. Efros:Electronic Properties of Doped Semiconductors (Springer, Heidelberg, 1984) p. 11.
• I. G. Ivanov, A. Henry, and E. Janzén: Phys. Rev. B 71 (2005) 241201(R).

タイトルに関連する用語 (4件)： 進行波 ,  4H-SiC ,  窒素 ,  イオン化エネルギー