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J-GLOBAL ID：201302241573617934   整理番号：13A0033236

PLD法によりサファイア(0001)基板上にエピタキシャル成長させた立方晶β-AlN薄膜のNEXAFS測定

著者 (5件)： 上田雄太郎 (九大 大学院) ,  吉田智博 (九大 大学院) ,  毛利聡 (九大 大学院) ,  隅谷和嗣 (九州シンクロトロン光研究セ) ,  吉武剛 (九大 大学院)
資料名： 応用物理学会九州支部学術講演会講演予稿集
巻： 37  ページ： 74  発行年： 2011年11月26日 
JST資料番号： L1487A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 基板 ,  *窒化アルミニウム ,  立方晶系 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  パルスレーザ照射 ,  *レーザ蒸着 ,  *エピタクシー ,  *XANES ,  X線回折 ,  結晶構造 ,  β相 ,  α相
準シソーラス用語： *NEXAFS ,  サファイア基板

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  X線スペクトル一般  (BM08101P)

タイトルに関連する用語 (7件)： PLD法 ,  サファイア ,  エピタキシャル成長 ,  立方晶 ,  AlN ,  薄膜 ,  NEXAFS