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J-GLOBAL ID：201302241709303432   整理番号：13A0243495

ヘテロチャネルSRAMセルの閾値電圧設計及び性能評価

Threshold Voltage Design and Performance Assessment of Hetero-Channel SRAM Cells

著者 (4件)： HU Vita Pi-Ho (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  FAN Ming-Long (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  SU Pin (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN) ,  CHUANG Ching-Te (National Chiao Tung Univ., Hsinchu, TWN)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 60  号： 1  ページ： 147-152  発行年： 2013年01月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InGaAs-OI/GeOI及びGeOI SRAMセルの安定性,可変性,性能,及びセル漏れを分析し,SOI SRAMセルと比較した。低電圧SRAMでは,低Vt設計は,小さい可変性,大きなセル漏れ,及び小さいセル読み出しアクセス時間を示し,性能と漏れとの間の設計トレードオフが考慮されるべきであった。高性能SRAMセルでは,高Vt設計のSOI SRAMセルは,小さい可変性及び劣化した性能を示した。InGaAs-OI/GeOI SRAMセルの使用は,高Vt設計を可能にし,安定性と性能を改善した。

シソーラス用語： *ヒ化ガリウムインジウム ,  *ヘテロ接合 ,  *SRAM ,  *電圧 ,  SOI構造 ,  *データ書込 ,  *データ読取 ,  雑音余裕 ,  超薄膜 ,  シミュレーション ,  表面粗さ ,  漏れ電流 ,  CAD【計算機】
準シソーラス用語： 閾値電圧 ,  RSNM ,  TCAD

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (5件)： SRAM ,  セル ,  閾値電圧 ,  設計 ,  性能評価