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J-GLOBAL ID：201302242094161590   整理番号：13A1648720

30nm 1.2V 4Gb 3.2Gb/s/pin DDR4 SDRAMの異種デュアルDLLと量子化誤差最小化ZQキャリブレーション

A Heterogeneous Dual DLL and Quantization Error Minimized ZQ Calibration for 30nm 1.2V 4Gb 3.2Gb/s/pin DDR4 SDRAM

著者 (10件)： NA Taesik (Samsung Electronics, Hwasung, KOR) ,  SHIM Yong (Samsung Electronics, Hwasung, KOR) ,  SONG Indal (Samsung Electronics, Hwasung, KOR) ,  KIM Jeong-Kyoum (Samsung Electronics, Hwasung, KOR) ,  HYUN Seokhun (Samsung Electronics, Hwasung, KOR) ,  KIM Jun-Bae (Samsung Electronics, Hwasung, KOR) ,  CHOI Jung-Hwan (Samsung Electronics, Hwasung, KOR) ,  KIM Chi-Wook (Samsung Electronics, Hwasung, KOR) ,  LEE Jung-Bae (Samsung Electronics, Hwasung, KOR) ,  CHOI Joo Sun (Samsung Electronics, Hwasung, KOR)
資料名： Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Circuits  (Digest of Technical Papers. Symposium on VLSI Circuits)
巻： 2013  ページ： 199-200  発行年： 2013年 
JST資料番号： W0767A  ISSN： 2158-5601  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

シソーラス用語： *DRAM ,  同期回路 ,  量子化誤差 ,  CMOS構造 ,  待ち時間 ,  キャリブレーション
準シソーラス用語： DLL【通信】 ,  *SDRAM ,  遅延同期ループ

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (6件)： SDRAM ,  デュアル ,  DLL ,  量子化誤差 ,  最小化 ,  キャリブレーション